雙相不銹鋼點蝕又稱小孔腐蝕、孔蝕或者點蝕，是集中在雙相不銹鋼表面較小區(qū)域內、能夠向雙相不銹鋼內部發(fā)展、直徑小而深的一類腐蝕狀態(tài)。小孔腐蝕的嚴重程度一般用點蝕系數(shù)（蝕孔的最大深度和金屬平均腐蝕深度之間的比值）表征，點蝕系數(shù)越高，點蝕產生的程度越深。當氧化劑跟鹵素離子同時存在時，就會導致金屬局部溶解進而形成孔穴促進點蝕的產生。

一、點蝕產生的主要條件

  1.  一般情況下點蝕較容易發(fā)生在表面具有陰極性鍍層或表面存在鈍化膜的金屬上。當金屬表面這些膜的局部位置產生破壞，裸露出的新表面（陽極）與該膜層未被破壞區(qū)域（陰極）就會形成活化－鈍化腐蝕電池，進而導致腐蝕朝著金屬內部縱深處發(fā)展促進小孔的生成。

  2.  點蝕常發(fā)生于含有特殊離子的腐蝕環(huán)境中，例如，雙相不銹鋼對鹵素離子比較敏感，如氯離子、溴離子、碘離子等，這些鹵素離子會不均勻吸附在雙相不銹鋼的表面，進而促進材料表面膜發(fā)生不均勻破壞。

 3.  點蝕的發(fā)生存在一個臨界電位，這個電位被稱為點蝕電位或者擊穿電位，一般情況下當電位高于點蝕電位時會發(fā)生點蝕。

二、點蝕機理

  點蝕的發(fā)生主要有三個階段：

   1. 蝕孔成核

     鈍化膜吸附跟破壞理論可以用來解釋蝕孔成核的原因。鈍化膜破壞理論認為：因為腐蝕性陰離子半徑比較小，因而當其吸附在雙相不銹鋼表面鈍化膜上時就會很容易穿透鈍化膜，進而導致“氧化膜受到污染”及促進強烈的感應離子導電的形成，因此于一定點處該膜可以保持比較高的電流密度，導致陽離子無規(guī)律移動進而變得活躍，當溶液一膜之間的界面電場到達某個臨界值時就會產生點蝕。鈍化膜吸附理論指出點蝕的產生是氧跟氯離子之間競爭吸附導致的，因為當氯離子取代了金屬表面氧的吸附點后就會產生可溶性的金屬－羥－氯絡合物，導致金屬表面膜發(fā)生破壞進而促進了點蝕的產生，蝕核產生以后這個點依然有再鈍化的能力，如果該點的再鈍化能力很強，蝕核就不會繼續(xù)變大。小蝕孔表現(xiàn)為開放式的狀態(tài)，在晶界上碳化物沉積、金屬內部硫化物夾雜及晶界、金屬表面的劃痕、位錯露頭等缺陷處更容易形成蝕核。

  2. 蝕孔生長階段

   蝕孔生成之后，孔蝕的發(fā)展是十分迅速的，一般用自催化過程來解釋蝕孔的生長，如圖所示。雙相不銹鋼在存在氯離子的溶液中，陰極處會發(fā)生吸氧反應使孔內氧的濃度降低，然而孔外的氧、氧濃度依然較高，所以孔內外的“供養(yǎng)差異電池”較容易形成。在孔內金屬離子連續(xù)變多的情況下，蝕孔外的氯離子會向孔內移動從而達到能夠維持溶液電中性的目的。此外，孔內金屬離子漸漸變多并發(fā)生水解導致蝕孔內部H+濃度不斷升高，這時蝕孔內部酸化就會造成孔內的金屬材料表現(xiàn)為活化溶解狀態(tài)；而蝕孔外部的表面膜由于依然保持鈍態(tài)進而形成了活化（蝕孔內）－鈍化（蝕孔外）電池，促使金屬不斷產生溶解，進而導致孔蝕按照自催化的過程繼續(xù)發(fā)展，促使腐蝕產生。

  3. 蝕孔再鈍化階段。

  蝕孔內金屬發(fā)生的再鈍化會導致孔蝕進行到某個深度之后就不會繼續(xù)進行了。造成蝕孔再鈍化的成因有三種：一是蝕孔內電位朝著負方向移動至小于保護電位（E.)時金屬就會進入到鈍化區(qū)域，金屬再鈍化的產生也可能是周邊區(qū)域的孔蝕劇烈發(fā)展或腐蝕介質的氧化還原電位降低所造成的；二是金屬表面鈍化膜比較脆弱的區(qū)域被消除，如夾雜物及晶間沉淀，金屬的再鈍化有可能在其被消除之后而產生；三是蝕孔內部的歐姆電壓會隨著孔蝕的生長而漸漸變大，導致蝕孔內部的電位轉移到鈍化區(qū)域，從而使金屬發(fā)生再鈍化現(xiàn)象。